第七届氮化物半导体与器件国际联合研讨会于4月11日召开
类别:新闻|发布时间:2016年4月15日
第七届氮化物半导体与器件国际联合研讨会于2016年4月11日在V体育氮化物半导体多业务创新中心举行。
共有32名成员(来自日本、中国和新加坡)参加了研讨会,并讨论了GaN HEMT、GaN UV-LED/探测器等的当前研究成果。
类别:新闻|发布时间:2016年4月15日
第七届氮化物半导体与器件国际联合研讨会于2016年4月11日在V体育氮化物半导体多业务创新中心举行。
共有32名成员(来自日本、中国和新加坡)参加了研讨会,并讨论了GaN HEMT、GaN UV-LED/探测器等的当前研究成果。