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三好诚
未来技术挑战氮化物半导体的高质量外延生长
GaN、AlN、InN等氮化物材料不仅具有直接跃迁型宽带隙能量、高电子迁移率、高介电击穿电场等作为半导体的优异物理特性，而且还具有极大的极化作为晶体学特征。通过组合具有宽组成范围的混晶系统，其具有能够设计各种高功能异质结构和高自由度量子结构的优点。我们的实验室以“下一代半导体电子共创研究中心”为基础，开展综合研究和开发工作，范围包括GaN、AlN和InN等多组分/多层氮化物晶体的高质量外延生长，以及作为其应用的光学和电子器件的设计和原型制作。
机电学院｜教授
三好三野（三好诚）
三好诚
关键字
半导体工程
光接收装置
氮化物半导体
晶体工程
电子设备
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我们正在努力创造下一代高性能半导体器件，以建设可持续的社会基础设施。具体来说，我们的核心技术是氮化物基材料的高质量外延生长，这些材料是宽禁带化合物半导体——GaN、AlN、InN及其混合晶体系统AlGaN、GaInN、AlInN、AlGaInN——并且我们正在推动前所未有的光学和电子器件的研究和开发，着眼于社会实施。此外，在我们的活动基地“下一代半导体电子共创研究中心”，我们不仅专注于研究和开发，还致力于培养和培养负责半导体电子未来的研究人员和工程师。