V体育 岛添一树

我们专注于使用雾气 CVD（化学气相沉积）生长氧化物材料薄膜，并且我们致力于从器件制造开始的所有工作。到目前为止GeO₂是啊₂O₃₂O₃，在₂O₃，二氧化锡₂，我们已经生长了各种氧化物半导体材料，例如NiO。这些材料有潜力制造出比目前使用的半导体材料能量损失更少的设备。在我们的实验室中，我们在与半导体相关的从上游到下游工艺的广泛领域进行研究，例如我们自己实际种植这些材料，对其进行评估，并制造设备以查看是否确实可以减少能量损失。我们还专注于开发新材料，进行研究，旨在开发世界上从未有人创造过的材料。