成功创建具有不同配位结构的氮氧化物晶体 - 利用晶格畸变控制氧和氮的排列 -
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类别：新闻稿|发布于 2017 年 3 月 30 日
研究小组包括东京大学研究生院理学研究科的Tetsuya Hasekawa教授和Yasushi Hirose副教授以及东北大学研究生院理学研究科的助理教授Daichi Oka。我们与学院大学、大阪大学、高亮度光子学研究中心和V体育合作，合成了金属氮氧化物单晶薄膜，并成功控制了金属离子周围氧化物和氮化物离子的配位结构。晶体中含有多种阴离子的复杂阴离子化合物的物理和化学性质会根据金属离子周围阴离子种类的配位结构而发生显着变化，但尚未建立制造具有不同配位结构的不同晶体的方法。这次，研究小组合成了氮氧化钽（一种复杂阴离子化合物）的单晶薄膜，并利用薄膜与基板之间的化学键施加晶格应变来生长晶体。结果，通过改变晶格应变的大小，他们能够创造出两种类型的晶体：一种仅包含最稳定的顺式配位结构，另一种包含亚稳态反式配位结构。这一结果预计将促进新型光学和电子材料的开发，例如可以吸收可见光的铁电体。
图：(a)钙钛矿氧化物和(b)钙钛矿氮氧化物的晶体结构
演示者：
长谷川哲也（东京大学研究生院化学系教授、神奈川科学技术院透明功能材料组组长）Yasushi Hirose（东京大学研究生院理学院化学系副教授）Daichi Oka（东北大学科学研究生院化学系助理教授）松井文彦（奈良科学技术大学材料科学研究生院副教授）Tamio Koguchi（大阪大学工业科学研究所教授）Takayuki Muro（高亮度光科学研究中心利用研究促进部高级研究员）Koichi Hayashi（V体育工学研究生院物理工程系教授）
演示要点：
◆ 我们合成了含有氧和氮作为阴离子的单晶氮氧化钽薄膜，并成功控制了钽周围氧和氮的几何排列（配位结构）。◆ 关键点是通过利用与沉积薄膜的基板之间的化学键来控制各向异性压力（晶格应变），同时生长高质量的晶体。◆ 这是第一个证明通过调整晶格畸变可以创建具有不同配位结构的复杂阴离子化合物晶体的例子，并有望促进基于配位结构控制的新型光学和电子功能材料的开发。
出版杂志：
杂志名称：“ACS 纳米”在线版论文标题：钙钛矿氮氧化物中阴离子排列的应变工程作者：Daichi Oka、Yasushi Hirose、Fumihiko Matsui、Hideyuki Kamisaka、Tamio Oguchi、Naoyuki Maejima、Hiroaki Nishikawa、Takayuki Muro、Kouichi Hayashi 和 Tetsuya Hasekawa DOI 号：101021/acsnano7b00144 摘要网址：
详情：
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研究相关事宜
东京大学理学研究生院化学系长谷川哲也教授电话：03-5841-4353 电子邮件：hasekawa[at]chemsu-tokyoacjp广濑靖副教授电话：03-5841-7595E-mail:hirose[at]chemsu-tokyoacjp
东北大学理学研究科化学系助理教授冈大一电话：022-795-3585 电子邮件：daichiokad2[at]tohokuacjp
其他
V体育企划公关部公关室电话：052-735-5004 电子邮件：pr[at]admnitechacjp
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