新成立的下一代半导体电子共创研究中心~将整合两个中心,统筹推进从研究到社会实施和人力资源开发的一切~
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类别:新闻稿|发布于 2026 年 3 月 25 日
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○整合“下一代微器件材料研究中心”和“氮化物半导体多业务创造中心”,成立“下一代半导体电子共创研究中心”○ 推动氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga2O₃)等下一代半导体材料和先进器件的研究,旨在将其应用于智能电网、电动汽车、光通信等领域○ 通过产学官合作以及对负责尖端半导体技术的研究人员和工程师的培训来加强技术桥梁
总结
V体育将于2026年4月1日成立“下一代半导体电子共创研究中心”,以全面推进下一代半导体研究、社会实施和人力资源开发。
该中心将整合“超精细器件下一代材料研究中心”和“氮化物半导体多业务创造中心”而成立,并将利用两个中心的研究成果和产学合作的知识,进一步加强研究体系。该结构由三个小组组成:下一代材料和器件研究小组、系统开发和业务共创小组以及教育和人力资源开发小组。该小组将推进宽禁带半导体和量子半导体等先进材料的研究,并加强与企业的联合研究和技术转让。此外,我们还将利用洁净室等研究设施,通过实证研究,促进研究成果的社会化。
此外,我们将制定与研究活动和经常性再培训教育相关的教育计划,以培养半导体人力资源,为建设可持续能源社会和减少环境影响做出贡献。
通过该中心的建立,我校将为加强日本在半导体领域的国际竞争力做出贡献。
联系信息
V体育研究支援科电话:052-735-5018邮箱:k-kyou[在]admnitechacjp
请将 *[at] 替换为 @。
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